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(FT838D外推,FT838NB内置)USB 驱动IC

发布时间: 2015-08-25  点击次数: 1974次

(FT838D外推,FT838NB内置)USB 驱动IC  FMD(辉芒微)代理价格优势,!   

FT838D分为FT838D1,FT838D2

FT838NB分为FT838NB1,FT838NB2

FT838D特点:

1、满足能源之星2.0和5能效;
2、内置NPN;
3、批量输出电压精度电流精度±5%以内;
4、保护功能齐,可靠性好;
5、满足EN55022 ClassB EMI要求

FT838NB特点:

1、满足能源之星2.0和5能效;
2、批量输出电压精度电流精度±5%以内;
3、保护功能齐,可靠性好;

4、满足EN55022 ClassB EMI要求

FT838D的介绍:

、应用:充电器、适配器

FT830D(不带) ft831d(带线损补偿)

FT832DB (带线损及转灯功能)

FT838D   (外置)

FT838NB (内置)

FT830系列

二、应用:LED

FT830A/D 外置1-18w 封装:sot23-5 精度:10% 效率:85%以上

FT838R 外置---和830a类似 封装:sot23-5 方案还没出来 10w

FT838RNA 内置(三极管)—6w以下 封装:sop-8 精度:5%

应用于: (1-3w, 3-6w)led驱动电源   3w bom  精度比830高,

FT838D 是FT831D的升版,,改善噪音,提高精度,待机功率100mw

FT825 高pf+psr 过ce 隔离 60w以内 工作效率88%以上,pf值:0.95

应用于:18w (灯管 t8/t5 天花灯)

应用于:7-9 12w (球泡)   


FT838D的型号特点:

特点:

? 节能模式:脉冲频率调制控制模式(PFM) 

? 内置抖频功能来改善 EMI性能 

? 每个开关周期的电流限制 

? VCC过压保护(OVP) 

? 欠压锁定(UVLO) 

? 输出短路保护 

? 内置输出线损补偿 

? 输入线电压补偿以提高输出电流精度


FT838D的芯片版本与管脚定义:

芯片版本

线损补偿比例

FT838D0

0%

FT838D1

3%

FT838D2

6%

FT838D3

9%


FT838D内置输出线损补偿,用户可根据实际输出导线情况选择合适的芯片版本。

FT838NB是适用于5V1A的充电器设计方案,适用于5W的充电器方案,电压输入范围适用于世界各地,精简的尺寸为更小巧的设计打下了基础,且为过五能效以及满足能源之星2.0,其空载电压也是小于100mA,纹波也是控制在100mVp之下,保护功能齐,可靠性好,为充电器的稳定性提供了保障,延长了充电器的使用寿命。

1) 交流输入电压范围 90-264Vac 50/60Hz

2) 直流输出 5V/1.0A

3) 满足能源之星2.0和5能效的要求并有足够的余量(板端数据)

(实测平均效率在PCB 板端73.5%以上,能源之星2.0 标准是68.17%)

4) 满足空载功耗小于100mW (实测70mW@230Vac)

5) 满足EMI EN55022 Class B的要求,并有足够的余量

6) zui大的输出纹波小于100mVP-P

7) 系统批量生产保证输出电压精度在±5%以内,输出电流精度在±5% 以内

8) 自恢复的短路保护和环路开路保护

FMD现推出了FT838MBD、FT839NB、FT839MB三种充电器方案

FT838MBD

1、率 ≥78.7% @115V/230V;
2、低待机功耗 <120mW;
3、输出纹波噪音低 <80mV;
4、内置MOS,DIP8封装,IC温升低,外围元件少,成本低;
5、在五能效标准基础上有充足的效率余量;

FT839NB

1、率,可满足六能效标准;
2、低待机功耗<80mW@264Vac;
3、输出CV/CC精度 <±5%;
4、内置NPN,外围元件少,系统成本低;
5、保护功能齐,可靠性好;
6、满足EN55022 ClassB EMI要求;

FT839MB

1、率,可满足六能效标准;
2、低待机功耗<80mW@264Vac;
3、输出CV/CC精度 <±5%;
4、内置MOS,SOP-8,外围元件少,系统成本低;
5、保护功能齐,可靠性好;
6、满足EN55022 ClassB EMI要求;

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