FT838MBD 5V/2V充电器方案

 FT838MBD 5V/2A充电器五能效方案

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特点 1、高效率，可满足六能效标准；

2、低待机功耗＜80mW@264Vac；

3、输出CV/CC精度 ＜±5%；

4、内置MOS，SOP-8，外围元件 少，系统成本低；

5、保护功能齐，可靠性好；

6、满足EN55022 ClassB EMI要求；

输入电压范围： 90~264V 输出电压/电流： 5V/1A 尺寸： 38*30mm 典型效率： 76% EMI： pass 空载待机功耗： <80mW 输出纹波： <100mVp-p 基本特点 充电器5V/1A FT839NB_5V1A_No Y_CE 1、高效率，可满足六能效标准； 2、低待机功耗＜80mW@264Vac； 3、输出CV/CC精度 ＜±5%； 4、内置NPN，外围元件少，系统成 本低； 5、保护功能齐，可靠性好； 6、满足EN55022 ClassB EMI要求； 充电器5V/1A FT839NB_5V1A_With Y_CE 输入电压范围： 90~264V 输出电压/电流： 5V/1.5A 尺寸： 42.8*30mm 典型效率： 78% EMI： pass 空载待机功耗： <80mW 输出纹波： <150mVp-p 1、高效率，可满足六能效标准； 2、低待机功耗＜80mW@264Vac； 3、输出CV/CC精度 ＜±5%； 4、内置NPN，外围元件少，系统成 本低； 5、保护功能齐，可靠性好； 6、满足EN55022 ClassB EMI要求； 

特色概述

 电压输入范围（90Vac~264Vac）

 高效率

 Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac

 低待机功耗

 < 120mW

 输出纹波噪音低

 <80mV

 输出短路保护

 输出过流保护

 的容性负载启机特性

 在5 能效标准基础上有充足的效率余量

 内置功率MOS，DIP-8 封装，IC 温升低；外围元件简洁，成本低。

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